U盘存储卡闪存(FLASH)存储介质的写入寿命你必须知道的!

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 闪存介质不存在机械部件,所以抗震性能较好,但闪存介质最大的弱点在于Flash芯片的写入寿命,目前,闪存芯片每个存储单元写入寿命为3000次-10万次不等。闪存发生故障时,若仅仅为主控芯片损坏或烧毁,那么位于Flash芯片内的数据是安全的。但Flash存储机制与机械硬盘不同,机械硬盘在物理层采用顺序存取,即从0扇区顺序往后写入,那么只要在逻辑上连续的数据,在物理层也是连续写入的。而Flash芯片由于存在读写寿命,为避免对某一存储单元反复读写引起损坏,闪存介质在主控中采用均衡算法,即保证每个存储单元都能平均分配写入次数,如此一来,即使在逻辑层是连续的文件,在Flash芯片的存储块中也是“随机”分布的,这一“随机”算法由主控芯片决定。由于不同闪存介质采用的主控芯片算法不同,有些芯片甚至采用加密算法,一旦主控损坏,即可能导致Flash内数据无法顺利重组。

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分类:U盘维修| 发布:yyf| 查看: | 发表时间:2016-6-4
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